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PBSS5330PA产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PESD3V3V4UW,115 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- PMEG3010CEJ,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- MCIMX6X1CVO08ACR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- IP4221CZ6-S,115 - 未分类 > 未分类
- PHP110NQ08T,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- HEF4001BP,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- BUK653R7-30C,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- S912XEQ512F1MAGR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCF51JM32VLK - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PDTA124ET,235 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- K32L2B31VFM0A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVC1G08GM,132 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MPC860DPVR66D4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MIMX9331DVVXMACR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LD6806TD/22H,125 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- TWR-MCF51QM - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP



PBSS5330PA - 30 V,3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS5330PA是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS5330PA是30 V,3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS5330PA的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS5330PA相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS5330PA - 30 V,3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用超薄SOT1061无引脚小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,具有中等功率能力。
NPN补充产品:PBSS4330PA。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 所需的印刷电路板(PCB)面积相比传统晶体管的更小
- 外露式热沉,可实现出色的热、电传导性能
- 无引脚小型SMD塑料封装,具有中等功率能力
产品应用
- 负载开关
- 电池驱动设备
- 电源管理
- 充电电路
- 电源开关(例如:马达、风扇)
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