74ALVCH16373是16位D型透明锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态输出。

集成了总线保持数据输入，无需使用外部上拉或下拉电阻来保持未使用的输入。

每个8位部分都提供一个锁存使能(LE)输入和一个输出使能(OE)。

74ALVCH16373由八个带3态真正输出的D型透明锁存器的2部分组成。LE为高电平时，nDn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，因此每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出就会随之变化。

LE为低电平时，锁存器存储LE从低电平跃迁至高电平前的一个设置时间在nDn输入处出现的信息。OE为低电平时，八个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准JESD8-B
• CMOS低功耗
• MULTIBYTE直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感VCC和GND针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• 所有数据输入都具有总线保持
• 85 °C时输出驱动能力为50 Ω的传输线路
• VCC = 3.0 V时电流驱动± 24 mA

• BZT52H-C4V7 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PUMZ2 - NPN/PNP通用双晶体管
• 74HC08BQ - 四路2输入与门
• HEF40098B - 六频反相缓冲器（三态）
• NZX6V8D - 单倍齐纳二极管
• HEF4794BT - 8级移位和存储寄存器LED驱动器
• PZU11B2A - 单倍齐纳二极管
• 74HC3G14GD - 三路反相施密特触发器
• 74LVT08DB - 3.3 V四路2输入与门
• PSMN017-30EL - N沟道30 V 17 m?逻辑电平MOSFET，采用I2PAK封装