NX3L2T66是双路低电阻单刀单掷模拟开关。每个开关都具有两个输入/输出端子（nY和nZ）以及一个高电平有效使能输入(nE)。针脚nE为低电平时，模拟开关关闭。

使能输入(nE)处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。低输入电压阈值使针脚nE能由较低电平逻辑信号驱动而不明显增大电源电流ICC。NX3L2T66因此能够使用1.8 V数字控制器切换4.3 V信号，无需逻辑电平转换。

NX3L2T66允许振幅高达VCC的信号从nY传输到nZ；或从nZ传输到nY。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保最小衰减和传输信号失真。

• 1.4 V至4.3 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻（峰值）：
  • VCC = 1.4 V时，1.6?（典型值）
  • VCC = 1.65 V时，1.0?（典型值）
  • VCC = 2.3 V时，0.55 ?（典型值）
  • VCC = 2.7 V时，0.50 ?（典型值）
  • VCC = 4.3 V时，0.50 ?（典型值）
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • IEC61000-4-2接触放电超过4000 V（适合开关端口）
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类A级标准
• VCC = 3.6 V时的1.8 V控制逻辑
• 控制输入接受高于电源电压的电压
• 极低电源电流，即使输入低于VCC时
• 大电流处理能力（3.3 V电源下为350 mA连续电流）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 手机
• PDA
• 便携式媒体播放器

• PTVS11VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• PEMD9 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BLF7G10L-250 - 功率LDMOS晶体管
• BZX84-A2V7 - 稳压器二极管
• PZU16B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BZB84-B39 - 双倍齐纳二极管
• 74AHCT2G125DC - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74AUP1G175GS - 带复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• 74AVCH16T245 - 16位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• UJA1075ATW - 高速CAN/LIN核心系统基础芯片