
BLS7G2729LS-350P技术文档下载:
BLS7G2729LS-350P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MPC850SRZQ66BU - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- TDA19998HL/C1,518 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理
- MC9S08AC32MFDE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- J176,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
- TEA1721AT/N1,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > AC DC 转换器,离线开关
- MC13892JVLR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- 74LVCH32374AEC/G,5 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器



BLS7G2729LS-350P - LDMOS S频段雷达功率晶体管
BLS7G2729LS-350P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLS7G2729LS-350P是LDMOS S频段雷达功率晶体管,本站介绍了BLS7G2729LS-350P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLS7G2729LS-350P相关的NXP元器件型号供参考。
BLS7G2729LS-350P - LDMOS S频段雷达功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
350 W LDMOS功率晶体管,适合2.7 GHz至2.9 GHz频率范围内的S频段雷达应用。
产品特性和优势
- 高效率
- 极佳的耐用性
- 设计用于S频段操作(2.7 GHz至2.9 GHz)
- 极佳的热稳定性
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 脉冲格式灵活性高
- 内部匹配,便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
2.7 GHz至2.9 GHz频率范围内的S频段雷达应用
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