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BLS7G2729LS-350P技术文档下载：
BLS7G2729LS-350P产品应用图解：
NXP恩智浦芯片：
- S9S08QD4J1CSCR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
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- BYD77B,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- FRDM-STBC-AGM01 - 评估板 - 传感器
- 74LVC169DB,112 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 计数器，除法器
- SPC5643LFK0MLQ1 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- BZX884-C68,315 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- BB179B,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 可变电容（变容器，可变电抗器）
- SC16C550IA44,529 - 集成电路（IC） > 接口 > UART（通用异步接收器发送器）
- MC68HC908QY2MDTE - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
BLS7G2729LS-350P - LDMOS S频段雷达功率晶体管
BLS7G2729LS-350P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLS7G2729LS-350P是LDMOS S频段雷达功率晶体管，本站介绍了BLS7G2729LS-350P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLS7G2729LS-350P相关的NXP元器件型号供参考。
BLS7G2729LS-350P - LDMOS S频段雷达功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
350 W LDMOS功率晶体管，适合2.7 GHz至2.9 GHz频率范围内的S频段雷达应用。
产品特性和优势
- 高效率
- 极佳的耐用性
- 设计用于S频段操作（2.7 GHz至2.9 GHz）
- 极佳的热稳定性
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 脉冲格式灵活性高
- 内部匹配，便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
2.7 GHz至2.9 GHz频率范围内的S频段雷达应用
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