74AUP2G240提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(nOE)控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入nOE为高电平时，输入处于禁用状态。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪音过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PZU6.2B2L - 单倍齐纳二极管
• BZV85-C20 - 稳压器二极管
• TJA1028 - 集成电压调节器的LIN收发器
• PBSS5130T - 30 V；1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• NCX2200 - 低压比较器
• BZT52H-B3V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• CBTW28DD14 - 14-bit bus switch/multiplexer for DDR2/DDR3/DDR4 applications
• BLM8G0710S-45ABG - LDMOS 2-stage power MMIC
• BC847B - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• 74HC160D - 可预置同步BCD十进制计数器；异步复位