NX3L2G384是双路低电阻单刀单掷模拟开关。每个开关都具有两个输入/输出端子（nY和nZ）以及一个低电平有效使能输入(nE)。针脚nE为高电平时，模拟开关关闭。

使能输入(nE)处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。NX3L2G384允许振幅高达VCC的信号从nY传输到nZ；或从nZ传输到nY。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保最小衰减和传输信号失真。

• 1.4 V至4.3 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻（峰值）：
  • VCC = 1.4 V时，1.6?（典型值）
  • VCC = 1.65 V时，1.0?（典型值）
  • VCC = 2.3 V时，0.55 ?（典型值）
  • VCC = 2.7 V时，0.50 ?（典型值）
  • VCC = 4.3 V时，0.50 ?（典型值）
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • IEC61000-4-2接触放电超过4000 V（适合开关端口）
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类A级标准
• 3.0 V时具有TTL电平的直接接口
• 控制输入接受高于电源电压的电压
• 大电流处理能力（3.3 V电源下为350 mA连续电流）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 手机
• PDA
• 便携式媒体播放器

• BC869-25 - 20 V，2 A PNP中等功率晶体管
• BUK7628-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• TEA1721DT - 适用于5 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 1270 Hz
• PDTA144WM - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• TDA8595 - I2C总线控制型4 x 45 W功率放大器
• NTB0101 - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态
• PTVS13VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• 74HCT173D - 四频D型触发器；正沿触发器（三态）
• 74AUP2G32DC - 低功耗双路2输入或门
• PZU3.0B1A - 单倍齐纳二极管