SA58672是单声道无滤波器D类音频放大器，采用9凸块WLCSP（晶圆级芯片封装）和10端子HVSON封装。

SA58672具有关断控制。更强的抗噪性和RF整流可通过高PSRR和差分电路拓扑提高。快速启动时间和超小型WLCSP封装使其成为手机和PDA这两者的理想选择。

SA58672对8Ω可在5.0 V时提供1.7 W，在3.6 V时提供800 mW。其对4 Ω可在5.0 V时提供3.0 W。最大功率效率非常出色，8Ω为90%，4 Ω为84%至88%。SA58672提供热关断保护和短路关断保护。

• 输出功率
  • 5 V时4 Ω为3.0 W
  • 3.6 V时4 Ω为1.6 W
  • 5 V时8 Ω为1.7 W
  • 3.6 V时8 Ω为800 mW
• 电源电压范围：2.0 V至5.5 V
• 关断控制
• 高SVRR：217 Hz时为-77 dB
• 快速启动时间：7.0 ms
• 低电源电流
• 低关断电流
• 短路和热保护
• 采用1.66 mm x 1.71 mm x 0.6 mm 9凸块WLCSP封装节省空间
• 100 K/W的结点到环境低热阻，WLCSP热沉足够
• 采用3.0 mm x 3.0 mm x 0.85 mm的HVSON10封装增强功耗

• 无线和蜂窝手机以及PDA
• 便携式DVD播放器
• USB音箱
• 笔记本电脑
• 便携式收音机和游戏设备
• 教育性玩具

• BUK762R0-40C - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• HTSICH5601EW - HITAG S应答器IC
• 74AUP1G175 - 带复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• 74AUP2G241GT - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74AUP1G132GW - 低功耗2输入与非门施密特触发器
• BGA6489 - MMIC宽带中等功率放大器
• PEMD18 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• 74HC1G08GV - 2输入与门
• 74AHCT1G14GW - 反相施密特触发器
• 74HC237DB - 3至8线路解码器、解复用器，具有地址锁存器