74LVC1G38提供一个2输入与非功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将该器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET，采用LFPAK封装
• BAW156 - 两个低漏电流二极管
• BZB84-B43 - 双倍齐纳二极管
• BUK964R4-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74CBTLV1G125GN - 单路总线开关
• 74HC241PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVT240PW - ABT八进制反相缓冲器（3态）
• PUMD15 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• 74VHC02PW - 四路2输入或非门
• BC807-40 - 45 V，500 mA PNP通用晶体管