
NX3DV221GM技术文档下载:
NX3DV221GM产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MCIMX6Q4AVT08AER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC9S08MM128VLK - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- N74F367N,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- KMPC8541EPXAPF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- P80C557E4EFB/01,51 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74ABT2241D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- TDF8534HH/N2/S710Y - 线性 - 放大器 - 音频



NX3DV221GM - 带使能端的高速USB2.0开关
NX3DV221GM是NXP恩智浦公司的一款模拟开关产品,NX3DV221GM是带使能端的高速USB2.0开关,本站介绍了NX3DV221GM的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与NX3DV221GM相关的NXP元器件型号供参考。
NX3DV221GM - 带使能端的高速USB2.0开关 - 模拟开关 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
NX3DV221是高带宽开关,设计用于切换手机和消费电子应用(比如手机、数码相机以及带集线器的笔记本或带有限USB I/O的控制器)中的高速USB?2.0信号。该开关的宽带宽(1?GHz)使传输的信号具有最小边沿和相位失真。该器件可将差分输出从USB主机设备多路复用到两个对应输出之一。该开关为双向开关,在输出处的高速信号衰减很少或根本没有。其设计用于低位间偏斜和高通道间噪声隔离,且兼容高速USB?2.0 (480?Mbps)等各种标准。
产品特性和优势
- 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 开关电压接受高达5.5 V的信号
- VCC = 3.6 V时的1.8 V控制逻辑
- OE为高电平时的低功耗模式(2 μA最大)
- 6 Ω(最大)导通电阻
- 通道之间的0.1 Ω(典型值)导通电阻不匹配
- 6 pF(典型值)通态电容
- 高带宽(1.0 GHz典型值)
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78B II类A级标准
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过8000 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- HBM超过12000 V,实现I/O接地保护
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C
产品应用
- 适合USB 1.0、1.1和2.0路由信号
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