
NX3DV221GM技术文档下载:
NX3DV221GM产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- OT409,135 - 未分类 > 未分类
- MCZ33903D3EKR2 - 32-SSOP(0.295,7.50mm 宽)
- MC9S08AC60CFUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVT00DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- BBY40,215 - 分立半导体产品 > 二极管 > 可变电容(变容器,可变电抗器)
- MPC8555CPXAJD - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- SPC5674FF3MVR3R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TDA19988BHN/C1,557 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理
- MC35FS6503NAER2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- PZU3.6B,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC34981ABHFKR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
- PH7030L,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- PDTC114YE,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- MC9S08GW32CLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC860SRZQ50D4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LPC2142FBD64,151 - 嵌入式 - 微控制器
- MPC8245LVV266D - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PZM6.2NB3,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- SPC5777CLK3MME3 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCF2129AT/1,512 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 实时时钟



NX3DV221GM - 带使能端的高速USB2.0开关
NX3DV221GM是NXP恩智浦公司的一款模拟开关产品,NX3DV221GM是带使能端的高速USB2.0开关,本站介绍了NX3DV221GM的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与NX3DV221GM相关的NXP元器件型号供参考。
NX3DV221GM - 带使能端的高速USB2.0开关 - 模拟开关 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
NX3DV221是高带宽开关,设计用于切换手机和消费电子应用(比如手机、数码相机以及带集线器的笔记本或带有限USB I/O的控制器)中的高速USB?2.0信号。该开关的宽带宽(1?GHz)使传输的信号具有最小边沿和相位失真。该器件可将差分输出从USB主机设备多路复用到两个对应输出之一。该开关为双向开关,在输出处的高速信号衰减很少或根本没有。其设计用于低位间偏斜和高通道间噪声隔离,且兼容高速USB?2.0 (480?Mbps)等各种标准。
产品特性和优势
- 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 开关电压接受高达5.5 V的信号
- VCC = 3.6 V时的1.8 V控制逻辑
- OE为高电平时的低功耗模式(2 μA最大)
- 6 Ω(最大)导通电阻
- 通道之间的0.1 Ω(典型值)导通电阻不匹配
- 6 pF(典型值)通态电容
- 高带宽(1.0 GHz典型值)
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78B II类A级标准
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过8000 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- HBM超过12000 V,实现I/O接地保护
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C
产品应用
- 适合USB 1.0、1.1和2.0路由信号
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