NX3DV221是高带宽开关，设计用于切换手机和消费电子应用（比如手机、数码相机以及带集线器的笔记本或带有限USB I/O的控制器）中的高速USB?2.0信号。该开关的宽带宽(1?GHz)使传输的信号具有最小边沿和相位失真。该器件可将差分输出从USB主机设备多路复用到两个对应输出之一。该开关为双向开关，在输出处的高速信号衰减很少或根本没有。其设计用于低位间偏斜和高通道间噪声隔离，且兼容高速USB?2.0 (480?Mbps)等各种标准。

• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 开关电压接受高达5.5 V的信号
• VCC = 3.6 V时的1.8 V控制逻辑
• OE为高电平时的低功耗模式（2 μA最大）
• 6 Ω（最大）导通电阻
• 通道之间的0.1 Ω（典型值）导通电阻不匹配
• 6 pF（典型值）通态电容
• 高带宽（1.0 GHz典型值）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类A级标准
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过8000 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
  • HBM超过12000 V，实现I/O接地保护
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 适合USB 1.0、1.1和2.0路由信号

• XC7SH32 - 2输入或门
• SSL5261PT - Compact high power factor dimmable LED driver IC (v2)
• PZU9.1B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74LVC1G19GS - 2选1解码器/解复用器
• NX5P1100UK - 逻辑控制的高侧电源开关
• PEMH30 - NPN/NPN配电阻双晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• PCA9846PW - 4-channel ultra-low voltage, Fm+ I2C-bus switch with reset
• BUK7225-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PESDxV4UF; PESDxV4UG; PESDxV4UW - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• PEMB15 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ