74LVC3G04提供三个反相缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLF8G10LS-270(G)V - 功率LDMOS晶体管
• 74AUP2G04GW - 低功耗双路反相器
• PSMN085-150K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• MF0MOU2001DA4 - MIFARE Ultralight C - Contactless ticket IC
• PDTC114ET - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ
• 74AUP2G157GS - 低功耗2输入多路复用器
• PBSS4330PAS - 30 V、3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• KMZ41 - 磁阻传感器
• PESD5V0L2UU - 低电容单向ESD保护二极管
• PDTD113ZT - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm