74AUP2T1326是高性能、双电源、低功耗、低电压的双路缓冲器/线路驱动器，具有输出使能电路。

74AUP2T1326设计用于逻辑电平转换，结合了74AUP1G32和74AUP2G126的功能。缓冲器/线路驱动器由两个输出使能输入（1OE和2OE）控制。输入1OE上的逻辑低电平使输出2Y呈高阻抗关断状态，2OE上的逻辑低电平使输出3Y呈高阻抗关断状态。输出1Y是两个输出使能输入的逻辑或的结果。

输出使能输入（1OE和2OE）是施密特触发器输入，它们在针对正向和负向信号的不同电压下切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH. 输出使能输入接受标准输入信号，能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

提供的VCC(A)和VCC(B)可以是1.1 V至3.6 V之间的任何电压，因此该器件适合与具有兼容输入电平的任何低压节点（1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V）接合。针脚1OE、2OE和1Y以VCC(A)为基准，针脚A、2Y和3Y以VCC(B)为基准。

该器件可确保低静态和动态功耗且完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时任何破坏性回流电流通过该器件。

• 宽电源电压范围：
  • VCC(A)：1.1 V至3.6 V；VCC(B)：1.1 V至3.6 V。
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 2A类超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• BUK7K25-40E - 双N沟道40 V，25 m?标准电平MOSFET
• BZV55-B2V7 - 稳压器二极管
• CBTD16211DL - 24位电平转换总线交换开关，具有12位输出使能
• CBTD3384 - 10位电平转换总线开关，具有5位输出使能
• BLF888B(S) - UHF功率LDMOS晶体管
• BUK9506-75B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HC58D - 双路与或门
• BZB84-C9V1 - 双倍齐纳二极管
• BUK7E04-40A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AHC(T)573 - 八进制D型透明锁存器；3态