74HC423；74HCT423是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。其规格符合JEDEC标准no. 7A。

带复位的74HC423；74HCT423双可再触发单稳态多谐振荡器具有两种输出脉冲宽度控制方法。

最小脉冲宽度基本上通过选择外部电阻(REXT)和电容(CEXT)确定。 一旦触发，基本输出脉冲宽度可通过再触发门控低电平有效边沿输入(nA)或高电平有效边沿输入(nB)进行扩展。重复这一过程，就可按需形成输出脉冲周期（nQ为高电平，nQ 为低电平）。nRD为低电平时，其将nQ输出强制为低电平，将nQ输出强制为高电平，并且还抑制触发。图10和图11说明了通过复位实现的脉冲控制。

nA和nB输入的施密特触发器动作使其高度容许较慢的输入上升和下降时间。

74HC423；74HCT423等同于74HC123；74HCT123，但无法通过复位输入触发。

• 从高电平有效或低电平有效输入触发的直流
• 针对占空系数高达100 %的极长脉冲可再触发
• 直接复位可终止输出脉冲
• 除复位输入外的所有输入上的施密特触发器动作
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVC377D - 带数据使能的八频D型触发器；正沿触发器
• PCA9626B - 24位Fm+ I2C总线100 mA 40 V LED驱动器
• MF1S5001XDUF - MIFARE Classic 1K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• BGA7027 - 400 MHz至2700 MHz 0.5 W高线性度硅放大器
• BZB84-C6V8 - 双倍齐纳二极管
• 74LVT244BPW - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• SE97BTP - DDR存储器模块温度传感器，集成SPD
• BUK763R9-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HCT2G86DC - 双路2输入异或门
• PMBFJ110 - N沟道FET