该器件是符合SD 3.0规范的6位双向双电平转换器。它 设计用于在1.8 V或2.9 V信号电平下工作的记忆卡和具有1.2 V至3.3固定标称电源电压的主机之间接口。该器件支持SD 3.0、 SDR50、DDR50、SDR25、SDR12和SD 2.0高速(50 MHz)和默认速度(25 MHz)模式。 该器件具有集成的电压可选的低压差稳压器，用于为卡端I/O供电，还具有内置EMI滤波器和强大的ESD保护（符合IEC 61000-4-2第四级标准）。

• 支持高达100 MHz的时钟速率
• 用于时钟同步的反馈通道
• 符合SD 3.0规范的电压转换，支持SDR50、DDR50、SDR25、SDR12、高速和默认速度模式
• 50 mA低压差稳压器，为卡端I/O供电
• 采用先断后合架构，推挽输出级具有低功耗
• 集成式上拉和下拉电阻：无需外部电阻
• 集成式EMI滤波器可抑制数字I/O的高次谐波
• 卡端提供集成8 kV ESD保护，符合IEC 61000-4-2第四级标准
• 电平转换缓冲器可以让ESD应力远离主机（零钳位概念）
• 25焊球WLCSP封装；间距0.4 mm

• 智能手机
• 手机
• 数码相机
• 平板电脑
• 便携式计算机
• SD、MMC或microSD读卡器

• PZU6.2B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BUK7E4R6-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HC7541PW - 八进制施密特触发缓冲器/线路驱动器；3态
• PMP5501Y - PNP/PNP匹配双晶体管
• BF550 - PNP中频晶体管
• 74LV165DB - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• BZX884-B75 - 稳压器二极管
• 74HC153D - 双路4输入多路复用器
• BFG403W - NPN 17 GHz宽频带晶体管
• BUK7624-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET