74HC166；74HCT166是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该类器件具有一个串行数据输入(DS)、八个并行数据输出（Q0至Q7）和一个串行输出(Q7)。并行使能输入(PE)为低电平时，来自D0至D7的数据在时钟输入(CP)下一次从低电平跃迁至高电平时会加载到移位寄存器中。PE为高电平时，数据随CP每次从低电平跃迁到高电平在DS处串行输入到寄存器。时钟使能输入(CE) 为低电平时，数据在CP从低电平跃迁到高电平时移位。CE上的高电平可禁用CP输入。输入包括能使用限流电阻将输入连接到高于VCC的电压的钳位二极管。

• 同步并行到串行应用
• 同步串行输入，可实现轻松扩展
• 符合JEDEC标准no. 7A
• 输入电平：
  • 对于74HC166：CMOS电平
  • 对于74HCT166：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40?°C至+85?°C和-40?°C至+125?°C

• 74LVT125BQ - 3.3 V四路缓冲器；3态
• 74AXP1G57GN - 低功耗可配置多功能门
• 74LVCH8T245BQ - 8位双电源转换收发器；3态
• 74HC4020PW - 14级二进制纹波计数器
• BLF25M612G - 功率LDMOS晶体管
• NZX12B - 单倍齐纳二极管
• BZT52H-B75 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BAP64LX - 硅PIN二极管
• BLF7G27L-90P - 功率LDMOS晶体管
• 74ABT04DB - 六位元进制反相器