74HC166；74HCT166是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该类器件具有一个串行数据输入(DS)、八个并行数据输出（Q0至Q7）和一个串行输出(Q7)。并行使能输入(PE)为低电平时，来自D0至D7的数据在时钟输入(CP)下一次从低电平跃迁至高电平时会加载到移位寄存器中。PE为高电平时，数据随CP每次从低电平跃迁到高电平在DS处串行输入到寄存器。时钟使能输入(CE) 为低电平时，数据在CP从低电平跃迁到高电平时移位。CE上的高电平可禁用CP输入。输入包括能使用限流电阻将输入连接到高于VCC的电压的钳位二极管。

• 同步并行到串行应用
• 同步串行输入，可实现轻松扩展
• 符合JEDEC标准no. 7A
• 输入电平：
  • 对于74HC166：CMOS电平
  • 对于74HCT166：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40?°C至+85?°C和-40?°C至+125?°C

• NX18P3001UK - 用于充电器和USB-OTG组合的双向电源开关
• 74HCT3G14DP - 三路反相施密特触发器
• 74ABT245DB - 八进制收发器，具有方向针脚（3态）
• 74HC4046ADB - 锁相环，具有VCO
• 74AUP2G125GM - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态
• BLC8G20LS-310AV - Power LDMOS transistor
• SL3ICS3001FW - SL3ICS30 01，UCODE HSL
• PNX1002EL - 软件可编程的视频DSP
• 74LVC2T45DC - 双电源转换收发器；3态
• RB751V40 - 单倍肖特基势垒二极管