74AUP1G386提供一个3输入异或门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK7Y98-80E - N沟道80 V，98 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74HCT4094D - 8级移位和存储总线寄存器
• NX2A4WP - A4WP compliant high frequency wireless charging receiver front end
• 74LV4066D - 四路双向开关
• SC16C650BIB48 - 5 V、3.3 V和2.5 V的UART，带有32字节FIFO以及红外(IrDA)编码器/解码器
• 74HCT595PW - 8位串行输入、串行或并行输出移位寄存器，带输出锁存器 ；3态
• PTVS12VU1UPA - 300 W瞬态电压抑制器
• BF861C - N沟道FET
• 74LVC1G14GF - 单路施密特触发器反相器
• 74AHCT08PW - 四路2输入与门