
BUK9Y6R0-60E技术文档下载:
BUK9Y6R0-60E产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PESD5V0X2BY,115 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- GTL2014PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 转换器,电平移位器



BUK9Y6R0-60E - N-channel 60 V, 6.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
BUK9Y6R0-60E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK9Y6R0-60E是N-channel 60 V, 6.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56,本站介绍了BUK9Y6R0-60E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK9Y6R0-60E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK9Y6R0-60E - N-channel 60 V, 6.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications.
产品特性和优势
- Q101 compliant
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
- True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5 V at 175 °C
产品应用
- 12 V Automotive systems
- Motors, lamps and solenoid control
- Transmission control
- Ultra high performance power switching
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