74HC165；74HCT165是符合JEDEC标准no. 7A的高速硅栅CMOS器件。该类器件与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。

74HC165；74HCT165是8位并行负载或串行输入移位寄存器，末级提供互补串行输出（Q7和Q7）。并行负载(PL)输入为低电平时，来自D0至D7输入的并行数据会异步加载到寄存器中。

PL为高电平时，数据在DS输入处串行输入寄存器并随时钟每次正向跃迁向右移一位（Q0 → Q1 → Q2，以此类推）。通过将Q7输出连接到后一级的DS输入，该特性可实现并行到串行转换器扩展。

时钟输入为门控或结构，允许一个输入用作低电平有效时钟使能(CE)输入。CP和CE输入的针脚分配是任意的，为便于布局可以颠倒。CE输入从低电平至高电平的跃迁应当仅在CP为高电平时发生，以便操作可预测。PL从低电平跃迁到高电平前CP或CE应当为高电平，以防激活PL时移位数据。

• 异步8位并行负载
• 同步串行输入
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 并行到串行数据转换

• BB131 - VHF变容二极管
• NCX2220GF - 低压比较器
• BZT52H-C4V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PBSS5480X - 80 V、4 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HC2GU04GV - 双频非缓冲逆变器
• PSMN1R5-30YL - N沟道30 V 1.5 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• BUK9Y22-30B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74LVC1G34 - 单路缓冲器
• BZT52H-B3V6 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74LVC2244AD - 八位元缓冲器/线路驱动器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态