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BLF8G20LS-400PGV技术文档下载：
BLF8G20LS-400PGV产品应用图解：
NXP恩智浦芯片：
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- 74LVC623ADB,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- MM908E624AYEWR2 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 应用特定微控制器
- MPC855TCVR50D4 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
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- PESD12VS2UT,215 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- P89LPC9107FDH,129 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MCIMX6U6AVM08ADR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
BLF8G20LS-400PGV - 功率LDMOS晶体管
BLF8G20LS-400PGV是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLF8G20LS-400PGV是功率LDMOS晶体管，本站介绍了BLF8G20LS-400PGV的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF8G20LS-400PGV相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G20LS-400PGV - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
400 W LDMOS功率晶体管，具有改进的视频带宽，适合1805 MHz至1995 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 去耦引线，可改进视频带宽(VBW)（典型值：120 MHz）
- 高效率
- 低Rth，提供极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作
- 更低的输出电容，可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计，提供出色的预失真性能
- 内部匹配，便于使用
- 集成式ESD保护
- 最适合鸥翼式的设计
- 出色的耐用性
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合1805 MHz至1995 MHz频率范围内基站和多载波应用的RF功率放大器
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