74LVC1G17提供带施密特触发器输入的缓冲器功能。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰的输出。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PZU24BA - 单倍齐纳二极管
• SA636BS - 低压高性能混频器FM IF系统，具有高速RSSI
• 74HCT1G32GV - 2输入或门
• BSS138BKW - 60 V，320 mA N沟道Trench MOSFET
• BBY40 - VHF变容二极管
• 74HC(T)4052 - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器
• BUK9506-75B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMBD354 - 双肖特基势垒二极管
• NT2H1611G0DUD - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成888字节用户存储器
• BCM62B - PNP/PNP匹配双晶体管