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BUK9K29-100E - 双N沟道100 V，29 mΩ逻辑电平MOSFET
BUK9K29-100E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品，BUK9K29-100E是双N沟道100 V，29 mΩ逻辑电平MOSFET，本站介绍了BUK9K29-100E的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BUK9K29-100E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK9K29-100E - 双N沟道100 V，29 mΩ逻辑电平MOSFET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
双逻辑电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56D（双Power-SO8）封装，使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准，适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 双MOSFET
- 符合Q101标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175 °C，适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的逻辑电平栅极，175?°C时VGS(th)额定值大于0.5?V
产品应用
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 变速箱控制
- 超高性能电源开关
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