毫微微法拉级(femtofarad)双向静电放电(ESD)保护二极管设计用于保护单条信号线，使其免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。该器件采用超小型无引脚DFN1006D-2 (SOD882D)表面贴装设备(SMD)塑料封装，具有可见且可焊的侧焊盘。

该器件结合极低电容、高ESD最大额定值和超小型封装等特性，适用于高速数据线的保护以及天线保护应用。

• 单条线路的双向ESD保护
• 毫微微法拉级(femtofarad)电容：Cd = 400?fF
• 低ESD钳位电压：30?V（30?ns、±8?kV）
• 极低漏电流：IRM< 1n?A
• 提供高达10?kV（接触电压）和15?kV（浮空电压）的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• 封装高度典型值：0.37?mm
• 符合AEC-Q101标准

• 10/100/1000 Mbit/s以太网
• FireWire
• 高速数据线
• SIM卡保护
• 手机和附件
• 便携式电子设备
• 通信系统
• 计算机和外设
• 音频和视频设备
• 天线保护

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