74LVC1G06提供反相缓冲器。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• PMEG3020DEP - 2 A低Vf MEGA肖特基势垒整流二极管
• BZV49-C10 - 稳压器二极管
• 74LVT125BQ - 3.3 V四路缓冲器；3态
• BFT93 - PNP 5 GHz宽频带晶体管
• PESD5V0L1UB - 低电容单向ESD保护二极管
• PSMN020-30MLC - N沟道30 V 18.1 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用TrenchMOS技术
• 74HC123D - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• PZU6.2B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BFU550A - NPN宽带硅RF晶体管
• BUK9518-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET