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NXP产品 - BLS8G2731L-400P介绍

BLS8G2731L-400P - LDMOS S-band radar power transistor

BLS8G2731L-400P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLS8G2731L-400P是LDMOS S-band radar power transistor，本站介绍了BLS8G2731L-400P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLS8G2731L-400P相关的NXP元器件型号供参考。

BLS8G2731L-400P - LDMOS S-band radar power transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦

产品描述

400 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from2.7 GHz to 3.1 GHz.

产品特性和优势
  • High efficiency
  • Excellent ruggedness
  • Designed for S-band operation
  • Excellent thermal stability
  • Easy power control
  • Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation
  • High flexibility with respect to pulse formats
  • Internally matched for ease of use
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
  • S-band radar applications in the frequent range 2.7 GHz to 3.1 GHz
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