74LV123是低压硅栅CMOS器件，与74HC123；74HCT123针脚和功能兼容。该器件是双可再触发单稳态多谐振荡器，输出脉冲宽度控制通过三种方法实现：

基本脉冲时间通过选择外部电阻(REXT)和电容(CEXT)进行编程。 一旦触发，基本输出脉冲宽度可通过再触发门控低电平有效边沿输入(nA)或高电平有效边沿输入(nB)进行扩展。重复这一过程，就可按需形成输出脉冲周期（nQ为高电平，nQ 为低电平）。 或者，输出延迟可通过输入nRD上的低电平沿随时终止，其还可抑制触发。

nA和nB输入中的施密特触发器操作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

• 最适合低压应用：1.0 V至5.5 V
• 接受介于VCC = 2.7 V和VCC = 3.6 V之间的TTL输入电平
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型输出地弹：< 0.8 V
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型高电平输出电压(VOH)欠冲：> 2 V
• 从高电平有效或低电平有效输入触发的直流
• 针对占空系数高达100 %的极长脉冲可再触发
• 直接复位可终止输出脉冲
• 除复位输入外的所有输入上的施密特触发器动作

• 74AHC2G126DP - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• BZB84-C6V8 - 双倍齐纳二极管
• PMEG2005CT - 500 mA低V_F双MEGA肖特基势垒整流二极管
• BLF988 - 功率LDMOS晶体管
• 74AHC2G32DC - 双路2输入或门
• BUK7909-75ATE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• BUK661R9-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• NTAG210/NTAG212 - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成48/128字节用户存储器
• BLS8G2731L-400P - LDMOS S-band radar power transistor
• PESD3V3S5UD - 五倍ESD保护二极管阵列