74LVC1G04提供一个反相缓冲器。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围从-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 74LVC3GU04GM - 三路反相器
• 74LVC1G53DC - 2通道模拟多路复用器/解复用器
• 74HC3G06GD - 三路反相器，带开漏输出
• PSMN2R2-25YLC - N沟道25 V 2.4 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BLF882S - 超高频LDMOS功率晶体管
• 74AXP1G32GX - 低功耗2输入或门
• 74LV595D - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器；3态
• 74HCT4052PW - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器
• PSMN9R5-100PS - N沟道100 V 9.6 m?标准电平MOSFET，采用T0220封装
• PBSS5520X - 20 V、5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管