74HC165；74HCT165是符合JEDEC标准no. 7A的高速硅栅CMOS器件。该类器件与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。

74HC165；74HCT165是8位并行负载或串行输入移位寄存器，末级提供互补串行输出（Q7和Q7）。并行负载(PL)输入为低电平时，来自D0至D7输入的并行数据会异步加载到寄存器中。

PL为高电平时，数据在DS输入处串行输入寄存器并随时钟每次正向跃迁向右移一位（Q0 → Q1 → Q2，以此类推）。通过将Q7输出连接到后一级的DS输入，该特性可实现并行到串行转换器扩展。

时钟输入为门控或结构，允许一个输入用作低电平有效时钟使能(CE)输入。CP和CE输入的针脚分配是任意的，为便于布局可以颠倒。CE输入从低电平至高电平的跃迁应当仅在CP为高电平时发生，以便操作可预测。PL从低电平跃迁到高电平前CP或CE应当为高电平，以防激活PL时移位数据。

• 异步8位并行负载
• 同步串行输入
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 并行到串行数据转换

• PZU4.7B2L - 单倍齐纳二极管
• PH3120L - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74AHC(T)541 - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK7Y18-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMSTA55; PMSTA56 - 500 mA PNP通用晶体管
• BZB984-C10 - 双倍稳压器二极管
• 74AUP1G02GN - 低功耗2输入或非门
• BAP51LX - 硅PIN二极管
• PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF - 单向四倍ESD保护二极管阵列
• 74HC1G126GW - 总线缓冲器/线路驱动器；3态