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BLS7G2730LS-200P技术文档下载：
BLS7G2730LS-200P产品应用图解：
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- MRF6V12250HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- MRF8HP21130HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
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- PDZ5.6B,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- TWR-MCF51QM - 评估板 - 嵌入式 - MCU，DSP
- SC16IS760IBS,157 - 集成电路（IC） > 接口 > 控制器
- BGY587,112 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 视频放大器和模块
- 74AHCU04D,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 门和反相器
- 74HC21D,653 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 门和反相器
BLS7G2730LS-200P - LDMOS S频段雷达功率晶体管
BLS7G2730LS-200P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLS7G2730LS-200P是LDMOS S频段雷达功率晶体管，本站介绍了BLS7G2730LS-200P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLS7G2730LS-200P相关的NXP元器件型号供参考。
BLS7G2730LS-200P - LDMOS S频段雷达功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管，适合2700 MHz至3000 MHz频率范围内的S频段雷达应用。
产品特性和优势
- 高效率
- 极佳的强度
- 主要用于宽带操作
- 极佳的热稳定性
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 高度灵活的脉冲格式
- 内部匹配，便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 2700 MHz至3000 MHz频率范围内的S频段雷达应用
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