74HC1G66和74HCT1G66是高速硅栅CMOS器件。它们是单刀单掷模拟开关。该开关具有两个输入/输出引脚（Y和Z）以及一个有源高电平使能输入引脚（E）。引脚E为低电平时，模拟开关会被关断。

非标准输出电流与74HC4066和74HCT4066的相等。

• 适用于74HC1G66的2.0 V至10.0 V宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 45 Ω（典型值）（VCC = 4.5 V时）
  • 30 Ω（典型值）（VCC = 6.0 V时）
  • 25 Ω（典型值）（VCC = 9.0 V时）
• 高抗噪性
• 低功耗
• 多个封装选项
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C以及-40 °C至+125 °C

• BLF888B - UHF功率LDMOS晶体管
• PBSS5112PAP - 120 V，1 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HCT3G14GD - 三路反相施密特触发器
• TDZ7V5J - 单倍齐纳二极管
• PMEG2020CPA - 2 A低V_F双MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74LVC823APW - 带5 V容压输入/输出的9位D型触发器；正沿触发器（三态）
• PBSS8110Z - 100 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HC74BQ - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• PESD5V0S1BA - 低电容双向ESD保护二极管
• NZH15B - 单倍齐纳二极管