74AUP1G02提供单路2输入或非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NZX3V3C - 单倍齐纳二极管
• BSP31 - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• 74AHCT1G86GV - 2输入异或门
• BC856AW - PNP通用晶体管
• PCA8537AH - 复用率最高为1:8的汽车级LCD驱动器
• BUK7528-100A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMEG2010EV - 低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BAT854SW - 双倍肖特基势垒二极管
• PCA9554AD - 带有中断的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• BCX51-16 - 45 V，1 A PNP中等功率晶体管