74ALVT162245是高性能BiCMOS产品，设计用于2.5V或3.3V的Vcc操作，I/O兼容性高达5V。

该器件是16位收发器，具有非反相3态总线兼容输出的八进制双电源转换收发器。控制功能实施可最大限度减少外部定时要求。该器件具有一个可实现轻松级联的输出使能(nOE)输入和一个可实现直接控制的直接(DIR)输入。

74ALVT162245设计为在处于输出的高电平状态和低电平状态时都具有30?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线收发器/发射器等应用中的噪声。

• 16位双向总线接口
• 3态缓冲器
• 兼容5V I/O
• 输出能力：+12mA/-12mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 输出包括30Ω的串联电阻，无需外部终端电阻
• 上电3态
• 输出连接到5V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000V，根据机器模型则超过200V

• 74LVC1G02GF - 单路2输入或非门
• 74ALVCH16823DL - 带复位和使能功能的18位总线接口D型触发器（三态）
• CBT3244AD - 八路总线开关，具有四路输出使能
• 74LVCH16374ADGG - 16位边沿触发D型触发器；5 V容压（三态）
• PBLS1504Y - 15 V PNP BISS负载开关
• 74ALVC574D - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• 74AUP1G06GW - 低功耗反相器，带开漏输出
• BUK7628-100A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PSMN1R5-40ES - N沟道40 V 1.6 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。
• 74HC2G34GW - 双路缓冲器门