74ALVT162827高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动。其设计用于2.5 V或3.3 V的VCC操作，I/O兼容性达5 V。

74ALVT162827 20位缓冲器提供高性能总线接口缓冲，用于宽数据/地址路径或总线负载奇偶校验。它们具有NOR输出使能（nOE1、nOE2），可实现最大控制灵活性。

74ALVT162827设计为在上拉和下拉输出结构中都具有30 ?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发射器等应用中的噪声。

• 多个VCC和GND针脚可减少开关噪声
• 兼容5 V I/O
• 允许带电插拔
• 3态输出缓冲器
• 输出包括30 Ω的串联电阻，无需外部端接电阻
• 上电3态
• 输出能力：±12 mA
• 闭锁保护超过500 mA，符合Jedec Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入

• BZV55-C22 - 稳压器二极管
• 74AXP1T57GT - Dual supply configurable multiple function gate
• PESD3V3L5UK - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列的Basic_type_numbers：PESD3V3L5UK、PESD5V0L5UK
• BZX79-C7V5 - 稳压器二极管
• PCAL6408A - 带有中断输出、复位和配置寄存器的低电压、8位I2C总线和SMBus I/O扩展器
• BZX585-C5V6 - 稳压器二极管
• TEA1732LTS - GreenChip SMPS control IC
• UBA2017AT - 可调光HF-TL控制器IC
• BFU580G - NPN宽带硅RF晶体管
• PHD97NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET