74ALVT162827高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动。其设计用于2.5 V或3.3 V的VCC操作，I/O兼容性达5 V。

74ALVT162827 20位缓冲器提供高性能总线接口缓冲，用于宽数据/地址路径或总线负载奇偶校验。它们具有NOR输出使能（nOE1、nOE2），可实现最大控制灵活性。

74ALVT162827设计为在上拉和下拉输出结构中都具有30 ?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发射器等应用中的噪声。

• 多个VCC和GND针脚可减少开关噪声
• 兼容5 V I/O
• 允许带电插拔
• 3态输出缓冲器
• 输出包括30 Ω的串联电阻，无需外部端接电阻
• 上电3态
• 输出能力：±12 mA
• 闭锁保护超过500 mA，符合Jedec Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入

• BZV55-C3V3 - 稳压器二极管
• BAS21H - 单个高压开关二极管
• BFQ18A - NPN 4 GHz宽频带晶体管
• 74LVC1GU04GW - 非缓冲反相器
• BUK7Y38-100E - N-channel 100 V, 38 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• PBSS5160DS - 60 V，1 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HC194DB - 4位双向通用移位寄存器
• JN5169 - ZigBee and IEEE802.15.4 wireless microcontroller with 512 kB Flash, 32 kB RAM
• 74AXP2G17GM - Low-power dual Schmitt trigger
• PSMN006-20K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX超低电平FET