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- MFEV630B,699 - 开发板，套件，编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件，板
- MX0912B351Y,114 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
- MC9328MX21CVK - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- MK50DN512CLQ10 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
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- MPC8567VTAQGG - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- 74HC244D,653 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- TDA8763M/3/C5,118 - 集成电路（IC） > 数据采集 > 模数转换器（ADC）
- 74ABT841DB,112 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 锁存器
- MC33978AEKR2 - 32-SSOP（0.295，7.50mm 宽）
- S9S12H128J1VPVER - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- PIMD2,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
BZB84-B10 - 双倍齐纳二极管
BZB84-B10是NXP恩智浦公司的一款齐纳二极管产品，BZB84-B10是双倍齐纳二极管，本站介绍了BZB84-B10的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BZB84-B10相关的NXP元器件型号供参考。
BZB84-B10 - 双倍齐纳二极管 - 齐纳二极管 - 二极管 - 恩智浦
产品描述
通用齐纳二极管，采用SOT23 (TO-236AB)小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
产品特性和优势
- 非重复性峰值逆向功率损耗：≤ 40 W
- 小型塑料封装，适合表面贴装设计
- 总功耗：≤ 300 mW
- 双共阳极配置
- 两个容差系列： B = +-2%和C = +-5%
- 符合AEC-Q101标准
- 宽工作电压范围： 标称值2.4 V至75 V（E24范围）
产品应用
- 一般稳压功能
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