
BLP8G21S-160PV技术文档下载:
BLP8G21S-160PV产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- BZX84-C15/LF1VL - 二极管 - 齐纳 - 单
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- NX3L1T66GM,115 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
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- MC33PF8250D2TSR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
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- MK10DX128VLH7R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MMPF0100F0AZES - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 特殊用途稳压器
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- FS32K146HRT0VLQT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PZM12NB1,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管



BLP8G21S-160PV - 功率LDMOS晶体管
BLP8G21S-160PV是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLP8G21S-160PV是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLP8G21S-160PV的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLP8G21S-160PV相关的NXP元器件型号供参考。
BLP8G21S-160PV - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
160 W LDMOS功率晶体管,适合1880 MHz至2025 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 设计用于宽带操作(1880 MHz至2025 MHz)
- 去耦引线,可改进视频带宽
- 出色的耐用性
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 内部匹配,便于使用
- 高功率增益
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合1880 MHz至2025 MHz频率范围内基站和多载波应用的RF功率放大器
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