
PSMN2R0-60ES技术文档下载:
PSMN2R0-60ES产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- LPC5516JBD64E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- P2041NSE1MMB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MIMX8UX5FVOFZAC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- TEA19032BAAT/1J - 集成电路(IC) > 接口 > 控制器
- MC68HC711E9MFNE2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MMRF1008HR5 - 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- PCA9534PW,112 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- N74F5074N,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- LD6836TD/16H,125 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- BZV85-C5V6,113 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- TDA1519CSP/N3,118 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- MC9S12E256VFUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRFG35003ANT1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MCZ33889DEG - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- MCIMX280DVM4C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC33771BSA2AE - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池管理
- 2PA1576R,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- MMG20271H9T1 - 射频和无线 > 射频放大器
- 74HC191DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- SE97TP,128 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 热管理



PSMN2R0-60ES - N沟道60 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装
PSMN2R0-60ES是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN2R0-60ES是N沟道60 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装,本站介绍了PSMN2R0-60ES的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN2R0-60ES相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN2R0-60ES - N沟道60 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
标准电平N沟道MOSFET,采用I2PAK封装,额定工作温度为175 °C。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 低开关和导通损耗,因而效率高
- 坚固耐用的结构,适合要求苛刻的应用
- 标准电平栅极
产品应用
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 马达控制
- 服务器电源
下面可能是您感兴趣的恩智浦公司通用MOSFET元器件
- BUK7Y21-40E - N沟道40 V,21 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK56封装
- BCX55 - 60 V,1 A NPN中等功率晶体管
- BZB984-C2V4 - 双倍稳压器二极管
- SC16IS740IPW - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的单通道UART
- MF0UL1101DUD - MIFARE Ultralight EV1 - 非接触式票证IC
- PESD3V3L1UA_UB_UL - 低电容单向ESD保护二极管
- BUK6E2R3-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
- PZU22DB2 - 双倍齐纳二极管
- 74LVT08D - 3.3 V四路2输入与门
- TDZ10J - 单倍齐纳二极管


NXP公司产品现货专家,订购恩智浦公司产品不限最低起订量,NXP恩智浦产品大陆现货即时发货,香港库存3-5天发货,海外库存7-10天发货
寻找全球NXP代理商现货货源 - NXP公司(恩智浦)电子元件在线订购

