74ALVT16601是高性能双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)产品，设计用于2.5 和3.3 V的VCC操作， I/O兼容性高达5 V。该器件是18位通用收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。每个方向上的数据流都通过输出使能（OEAB和OEBA）锁存使能（LEAB和LEBA）以及时钟（CPAB和CPBA）输入进行控制。对于A到B的数据流，LEAB为高电平时该器件在透明模式下工作。LEAB为低电平时，如果CPAB保持在高电平或低电平，则A数据会被锁存。如果LEAB为低电平，则A数据会在CPAB从低电平跃迁至高电平时被存储在锁存器/触发器中。OEAB为低电平时，输出处于激活状态。OEAB为高电平时，输出处于高阻抗状态。时钟可通过时钟使能输入（CEAB和CEBA）进行控制。

B到A的数据流类似于A到B的，不过其使用的是OEBA、LEBA和CPBA。

提供有源总线保持电路是为了使闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。

• 18位双向总线接口
• 兼容5 V I/O
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA和?32 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电重置
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 正沿触发的时钟输入
• 闭锁保护：
  • JESD78：超过500 mA
• ESD保护：
  • MIL STD 883方法3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• PUMD24 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• BUK954R4-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74LVTN16244BDGG - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• XC7SH14 - 反相施密特触发器
• 74ALVC16835ADGG - 18位寄存驱动器（3态）
• NT2L1211G0DUD - NTAG212，NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成128字节用户存储器
• 74LVC16240ADL - 16位缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；反相；3态
• BAV23S - 两个高压开关二极管
• BC847CQA - 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
• PCA9543AD - 带有中断逻辑和复位的2通道I2C总线开关