
BLF8G22LS-200(G)V技术文档下载:
BLF8G22LS-200(G)V产品应用图解:


NXP恩智浦芯片:
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BLF8G22LS-200(G)V - 功率LDMOS晶体管
BLF8G22LS-200(G)V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G22LS-200(G)V是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G22LS-200(G)V的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G22LS-200(G)V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G22LS-200(G)V - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适用于2110 MHz至2170 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 极佳的强度
- 高效率
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 主要用于降低记忆效应以提供极佳预失真能力
- 内部匹配以方便使用
- 集成ESD保护
- 符合有害物质限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
- 鸥翼型优化设计
产品应用
- 基站RF功率放大器
- 2110 MHz 至2170 MHz频率范围内的多载波应用
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