74LVC1G34提供一个低功耗、低电压的单路缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HC27DB - 三路3输入或非门
• PMDPB80XP - 20 V，双P沟道Trench MOSFET
• 74AUP3G0434DC - 低功耗双路反相器和单路缓冲器
• XC7WH14DC - 三路反相施密特触发器
• BUK98180-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BUK9Y11-30B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74ALVC573 - 八进制D型透明锁存器；3态
• BZX84-B13 - 稳压器二极管
• 74LVC373ABQ - 八进制D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• PSMN1R6-40YLC - N沟道40 V 1.55 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术