
74AUP1G09GW技术文档下载:
74AUP1G09GW产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- BUK961R7-40E,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MIMX8US3CVP08SA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S32K324EHT1VPBST - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 2PD601AQW,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- S912XEP100J5MAG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCF51AC256ACFUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- NCF2951XTT/TPE080J - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- 74ABT16841ADL,512 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- SC16C650BIBS,157 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- P89LPC9331FDH,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TDA8034AT/C1,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- PCA82C250T/N,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- 74ALVCHT16835DGV,1 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MCIMX353CJQ5C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74LVC273D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- NCX3310EVB - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
- TEF3200HN/V205Y - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- MC9S12DJ256CCPV - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BAT854SW,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- MC50XS4200CEK - 电源管理IC - 配电开关,负载驱动器



74AUP1G09GW - 低功耗2输入与门,带开漏输出
74AUP1G09GW是NXP恩智浦公司的一款与门产品,74AUP1G09GW是低功耗2输入与门,带开漏输出,本站介绍了74AUP1G09GW的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP1G09GW相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP1G09GW - 低功耗2输入与门,带开漏输出 - 与门 - 门 - 恩智浦
产品描述
74AUP1G09提供单路2输入与门,具有开漏输出。该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。
所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。
该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。
该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。
产品特性和优势
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
- JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
- JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
- JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
- JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 uA(最大)
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类标准
- 输入可接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
- IOFF电路提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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