74AUP1G09提供单路2输入与门，具有开漏输出。该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PHPT61002NYC - 100 V、2A NPN高功率双极性晶体管
• PMBTA13 - NPN达林顿晶体管
• TDF8546JS - I2C总线控制型4 x 45 W最佳效率放大器
• PESD5V0U4BF; PESD5V0U4BW - 超低电容双向四倍ESD保护阵列
• PESD5V0S1BA - 低电容双向ESD保护二极管
• BZT52H-B47 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PMEG050V150EPD - 50 V, 15 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• BGS8H2 - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
• PDTC114EQA - 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors
• PRTR5V0U4D - 超低电容四路轨到轨ESD保护