74LVT16652A是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。该器件可用作两个8位收发器或一个16位收发器。

提供互补输出使能（OEAB和OEBA）输入是为了控制收发器功能。提供选择控制（SAB和SBA）输入是为了选择是传输实时数据还是传输存储的数据。低电平输入电平选择实时数据，而高电平输入电平选择存储的数据。用于选择控制的电路可消除在存储和实时数据进行转换期间多路复用器中发生的典型解码干扰。

A或B总线上的数据或这两者都可通过相应时钟（CPAB或CPBA）输入上的低电平至高电平跃迁存储在内部触发器中，而无论选择控制或输出使能输入上的电平如何。SAB和SBA处于实时传输模式时，同时使能OEAB和OEBA可存储数据而不使用内部D型触发器。在该配置中，每个输出都会强化其输入。因此，当连接到两组总线线路的所有其他数据源都为高阻抗时，每组数据线路保持其上一个电平配置。

• 16位总线接口
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA和?32 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电重置
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500 mA，符合JESD78标准
• ESD保护：
  • MIL STD 883方法3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• BC849W; BC850W - NPN通用晶体管
• BZT52H-C30 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74HCT244D - 八进制缓冲器/线路驱动器；3态
• PDZ2.4B - 稳压器二极管
• PBSS5630PA - 30 V，6 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PBSS5130PAP - 30 V，1 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74ALVC16835ADGG - 18位寄存驱动器（3态）
• BLP05H6350XR - Power LDMOS transistor
• 74HCT393DB - 双路4位二进制纹波计数器
• SC16C850 - 2.5 V至3.3 V的UART，5 Mbit/s（最快），带有128字节FIFO、红外(IrDA)以及16模式或68模式并行总线接口