74LVC4245A是在发送和接收方向都具有非反相3态总线兼容输出的八进制双电源转换收发器。该器件设计为在处于混合3 V和5 V电源环境中的3 V和5 V总线之间接合。

该器件具有可实现轻松级联的输出使能输入（针脚OE）和实现方向控制的发送/接收输入（针脚DIR）。针脚OE控制输出，因此总线可以得到有效隔离。

在挂起模式下，当VCC(A)为零时，电源间不会有电流流过。 A输出必须设置为3态且总线A上的电压必须低于Vdiode（典型值0.7 V）。

VCC(A) ≥ VCC(B)，挂起模式下除外。

• 可实现与5 V逻辑接合的5 V容压输入/输出
• 宽电源电压范围：
  • 3 V总线(VCC(B))：1.5 V至3.6 V
  • 5 V总线(VCC(A))：1.5 V至5.5 V
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5.5 V的电压
• VCC(A) = 0 V时的高阻抗
• 符合JEDEC标准no. JESD8B/JESD36
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• CBT3306D - 双路总线开关
• BLF7G20L(S)-200 - 功率LDMOS晶体管
• CLF1G0060(S)-30 - 宽带RF功率GaN HEMT
• PTVS12VU1UPA - 300 W瞬态电压抑制器
• 1PS66SB17 - 4 V、30 mA低C_d肖特基势垒二极管
• SC28L194A1A - 3.3 V和5 V电源电压的四通道UART
• 74AVCH16244DGG - 16位缓冲器/线路驱动器；3.6 V容压；3态
• BLP05M7200 - Power LDMOS transistor
• BZX384-B75 - 稳压器二极管
• PSMN040-100MSE - N沟道100 V 36.6 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为高功率PoE应用而设计