74CBTLV3257提供带共同选择输入(S)和输出使能(OE)输入的四路2选1高速多路复用器/解复用器。开关的低导通电阻允许输入连接到输出而不增加传播延迟或产生额外的地弹噪声。针脚OE 为低电平时，两个开关的其中之一通过针脚S进行选择（低阻抗导通状态）。针脚OE为高电平时，所有开关都处于高阻抗关断状态，而无论针脚S如何。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，OE应当通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器灌入电流的能力确定。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 ℃至+85 ℃和-40 ℃至+125 ℃

• 74AUP1G08GX - 低功耗2输入与门
• PZU4.3BL - 单倍齐纳二极管
• HEF4073BT - 三路3输入与门
• 74AUP1G07GM - 低功耗缓冲器，带开漏输出
• BLF184XR(S) - 功率LDMOS晶体管
• BLL8H1214L(S)-250 - LDMOS L-band radar power transistor
• 74LVC02A - 四路2输入或非门
• BLF578XR - 功率LDMOS晶体管
• BC849BW - NPN通用晶体管
• PMBD7100 - 两个高速二极管