74AXP1G04是单路反相缓冲器。

所有输入的施密特触发器动作使电路高度容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保0.7 V至2.75 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成潜在损坏。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 1.0 pF（典型值）
• 低动态功耗；VCC = 1.2 V时CPD = 2.3 pF（典型值）
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（最大85 °C）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C

• BST39 - NPN高压晶体管
• NZX20C - 单倍齐纳二极管
• BUK761R6-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMV37EN2 - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• 74ABT16240ADL - 16位反相缓冲器/线路驱动器；3态
• 74VHCT245D - 八进制总线收发器；3态
• PBSS5320T - 20 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HC(T)4046A - 锁相环，具有VCO
• TEA1721FT - 适用于5 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 1750 Hz
• PZU20B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管