74LVC3G04提供三个反相缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTD123ET - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• BUK6E2R3-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• HEF4082BT - 双路4输入与门
• PBLS6004D - 60 V PNP BISS负载开关
• 74LVC04ABQ - 六位元反相器
• MF3ICDHQ101DUD - MIFARE DESFire EV1 256B contactless smartcard IC
• BUK7109-75ATE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• IP4251CZ12-6-TTL - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
• BUK9606-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BAS70L - 通用肖特基二极管