
PESD3V3L4UW技术文档下载:
PESD3V3L4UW产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- 74HC273D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- P87C54X2FA,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PDTA124TE,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- UJA1078TW/3V3,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- KTY82/110/C1,215 - 传感器,变送器 > 温度传感器 > PTC 热敏电阻
- PTVS15VS1UAR,115 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- S912XEG128W1VAA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BZT52H-C2V4,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC908QB8CDTE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HCT123PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 多谐振荡器
- LPC2368FBD100K - 嵌入式 - 微控制器
- TDA8566TH/N2,518 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- MC9S08QG8CDTER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- A2I09VD030NR1 - 射频放大器
- MKM33Z64ACLL5R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- DEMO9S08JM16 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- S32G398ASAK1VUCT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MIMX8SL1AVNFZBA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74HC594D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- PDTC123TM,315 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管



PESD3V3L4UW - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
PESD3V3L4UW是NXP恩智浦公司的一款低电容ESD保护设备产品,PESD3V3L4UW是低电容单向四倍ESD保护二极管阵列,本站介绍了PESD3V3L4UW的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD3V3L4UW相关的NXP元器件型号供参考。
PESD3V3L4UW - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列 - 低电容ESD保护设备 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
低电容单向四倍静电放电(ESD)保护二极管阵列采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装,保护最多四条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。
产品特性和优势
- 最多4条线路的ESD保护
- 低二极管电容
- 最大峰值脉冲功率:PPP = 30 W
- 低钳位电压:VCL = 12 V
- 超低漏电流:IRM = 5 nA
- 高达20 kV的ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- IEC 61000-4-5(浪涌);IPP = 2.5 A
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 通信系统
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
- 用户身份识别模块(SIM)卡保护
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