
PESD3V3L4UW技术文档下载:
PESD3V3L4UW产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- P5010NXN1VNB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- 74HCT4051D,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- MC9S12DG256BVPV - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCF5235CVM150J - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8272VRTMFA - 嵌入式 - 微处理器
- MCIMX31CVKN5D - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LPC1110FD20,529 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SCIMX515DJM1C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12DG12F1CPVER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PESD3V3L4UW - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
PESD3V3L4UW是NXP恩智浦公司的一款低电容ESD保护设备产品,PESD3V3L4UW是低电容单向四倍ESD保护二极管阵列,本站介绍了PESD3V3L4UW的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD3V3L4UW相关的NXP元器件型号供参考。
PESD3V3L4UW - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列 - 低电容ESD保护设备 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
低电容单向四倍静电放电(ESD)保护二极管阵列采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装,保护最多四条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。
产品特性和优势
- 最多4条线路的ESD保护
- 低二极管电容
- 最大峰值脉冲功率:PPP = 30 W
- 低钳位电压:VCL = 12 V
- 超低漏电流:IRM = 5 nA
- 高达20 kV的ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- IEC 61000-4-5(浪涌);IPP = 2.5 A
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 通信系统
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
- 用户身份识别模块(SIM)卡保护
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