74AUP3G3404是双路缓冲器和单路反相器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN7R0-100BS - N沟道100 V 6.8 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装。
• PHPT610035PK - PNP/PNP matched high power double bipolar transistor
• TDZ5V6J - 单倍齐纳二极管
• 74ALVC162334ADGG - 带反向寄存器使能和30 Ohm终端电阻的16位寄存驱动器（三态）
• 74LVT(H)244B - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PDTA143EU - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• 74LVC2G66DC - 双向开关
• PZU18B3A - 单倍齐纳二极管
• BC817-25QA - 45 V，500 mA NPN通用晶体管
• 74AUP1G16GF - Low-power buffer