74AUP2G79提供双路正沿触发D类触发器。在时钟脉冲（nCP）从低到高转换时，数据输入（nD）处的信息会被传输到nQ输出。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，nD输入必须保持稳定，以进行可预测操作。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• 74LVC2G241GN - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN015-100P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PXTA42 - 300 V，100 mA NPN高压晶体管
• PMFPB8032XP - 20 V，3.7 A / 320 mV VF P沟道MOSFET肖特基系列
• PXTA14 - NPN达林顿晶体管
• PMBT2222; PMBT2222A - NPN开关晶体管
• BLF8G22LS-270V - 功率LDMOS晶体管
• 74AHC595D - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器，带输出锁存器
• PBSS2515YPN - 15 V低VCEsat NPN/PNP晶体管
• MMBZ9V1AL - 低电容单向双ESD保护二极管