74LVC3G04提供三个反相缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NZX7V5C - 单倍齐纳二极管
• PBLS6023D - 60 V，1.5 A PNP BISS负载开关
• BUK962R6-40E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PZU3.6DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74AHCT273BQ - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• 74LVC30ABQ - 8-input NAND gate
• PBSS4160PANP - 60 V，1 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• CBT16212DGG - 24位总线交换开关，具有12位输出使能
• BCX53-16 - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
• TDZ8V2J - 单倍齐纳二极管