74AUP1G86提供单路2输入异或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BLF888BS - UHF功率LDMOS晶体管
• PCA9509DP - 电平转换I2C总线/SMBus中继器
• PDTC115TT - NPN配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 开路
• 74AHC74D - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• NX3L1T384 - 低电阻单刀单掷模拟开关
• 74AUP1T58GS - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• BSP31; BSP32; BSP33 - PNP中等功率晶体管
• PSMN2R7-30PL - N沟道30 V 2.7 m?逻辑电平MOSFET，采用TO-220封装
• PCMFxUSB3S - Common-mode EMI filter for differential channels with integrated ESD protection
• PMEG6002EJ - 200 mA低Vf MEGA肖特基势垒整流二极管