74AUP1Z125结合了74AUP1GU04和74AUP1G125的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而拉高X1输入并将该器件置于低功耗禁用模式。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z125因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTC144ET - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 k?
• PSMN1R1-25YLC - N沟道25 V 1.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BZT52H-B6V8 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PTVS54VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• BAT54W - 肖特基势垒二极管
• 74LV165PW - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 74AUP2G240DC - 低功耗双路反相缓冲器/线路驱动器；3态
• PEMD20; PUMD20 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• 74LVC2G241GS - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• XC7SET125GF - 总线缓冲器/线路驱动器；3态