
74LVC1G99GM技术文档下载:
74LVC1G99GM产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- BFG93A,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- 74HC240N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC32PF1550A8EPR2 - 电源管理IC - 电源管理 - 专用型
- 74HC652DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MK20FN1M0VLQ12R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC855TCZQ50D4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LPC1112FHN33/103,5 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SC16C754BIBM,157 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- LPC4330FBD144Y - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74AHCT1G02GW,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- A2I25D025GNR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 74AHC373D,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- SA5211D,602 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- PHD37N06LT,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- BFU530WF - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- BUK7628-55A,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- SC68C2550BIB48,128 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- MSC8157SAG1000A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- SC26C562C1A,518 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- K32WA-001-T10 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板



74LVC1G99GM - 超可配置多功能门;3态
74LVC1G99GM是NXP恩智浦公司的一款可配置门产品,74LVC1G99GM是超可配置多功能门;3态,本站介绍了74LVC1G99GM的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74LVC1G99GM相关的NXP元器件型号供参考。
74LVC1G99GM - 超可配置多功能门;3态 - 可配置门 - 门 - 恩智浦
产品描述
74LVC1G99提供一个带3态输出的低电压超可配置多功能门。该器件可配置为多个逻辑功能之一,包括:AND、OR、NAND、NOR、XOR、XNOR、反相器、缓冲器和MUX。配置该器件无需外部元器件,因为所有输入都可直接连接到VCC或GND。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。OE处的高电平会使输出(Y)呈高阻抗关断状态。OE是低电平时,输出状态由施加到施密特触发器输入(A、B、C和D)的信号确定。
由于使用施密特触发器输入,该器件能够耐受缓慢变化的输入信号,将其转变为清晰、无抖动的输出信号。通过消除到VCC和GND的漏电流路径,输入和已禁用的输出也为过压容限,从而该器件适合混合电压应用。
该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。
74LVC1G99完全针对1.65 V至5.5 V的电源电压范围设计。
产品特性和优势
- 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
- 5 V容压输入,可实现与5 V逻辑的接合
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-7(1.65 V至1.95 V)
- JESD8-5(2.3 V至2.7 V)
- JESD8-B/JESD36(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F超过2000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
- CMOS低功耗
- 闭锁性能超过250 mA
- 具有TTL电平的直接接口
- 输入可接受高达5 V的电压
- 多种封装选择
- 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。
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